某半導體企業：超短貨期，穩定供貨助力薄膜沉積工藝

一、項目背景：半導體迎來第二發展曲線

在生成式人工智能推動下，近兩年半導體產業大幅反彈。根據多方預測，半導體行業將持續增長，2030年有望突破1萬億美元里程碑。 在我國，面對半導體被‘卡脖子’的嚴峻現實，其發展速度迅猛，且需求量較大。國家對半導體發展也高度重視，并持續提出支持政策。

二、企業概況：致力于半導體技術國產化

精量科技服務的某半導體企業致力于國產化替代，專業布局碳化硅工藝，經過多年工藝積累，目前形成以刻蝕工藝設備、薄膜沉積工藝設備等系列產品，主要用于半導體前道工藝階段，如碳化硅、氮化鎵等化合物半導體加工。

三、工況需求：超供貨周期，保證生產質量

該半導體企業為下游客戶提供薄膜沉積、刻蝕、除膠等設備，用于在基底材料上制作和沉積薄膜圖層，以形成芯片的功能層。在化學氣相沉積（CVD）過程中，需用氣液混合蒸發器將液體源材料蒸發并混合，從而在沉積過程中形成均勻的薄膜。

該半導體企業需要以替代某國外品牌，并提出以下需求： 
1.供貨周期短且穩定; 
2.確保液體充分蒸發； 
3.響應速度快，混合蒸發氣體輸出均勻; 

4.液體流量精度達到規定標準.

四、解決方案：供貨周期短，保證生產質量

在了解需求后，我們根據混合的介質及工況，為客戶設計氣液混合蒸發系統。 

系統配置了可控蒸發混合器x1、液體質量流量控制器x1、氣體質量流量控制器x1、溫度控制儀x1。

                            圖：用于氣液混合蒸發系統的ACU20CEM可控蒸發混合器產品 

系統配置如下： 

可控蒸發混合器：氣體最大量程10 ln/min，液體（水）最小量程120g/h。 
液體質量流量控制器：準確度±0.25% F.S，重復精度0.05% F.S。 
氣體質量流量控制器：準確度±0.5% F.S，重復精度 ±0.2% F.S。 

溫度控制儀：可控制最高達200℃~300℃高溫，充分滿足指定介質蒸發條件。

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